产品简介：2301为P沟道MOSFET，2302为N沟道MOSFET，均为增强模式场效应晶体管。 

2301主要参数：

l  晶体管类型：P沟道MOSFET

l  栅级门限电压VGS：2.5V（典型值）

l  漏源电压VDS：-20V（极限值）

l  漏极电流ID：3A 

l  导通电阻RDS（on）：100mΩ（典型值）

l  栅极漏电流IGSS：±100nA

l  结温：55℃—150℃

l  封装形式：SOT23-3； 

2302主要参数：

l  晶体管类型：N沟道MOSFET

l  栅级门限电压VGS：2.5V（典型值）

l  漏源电压VDS：20V（极限值）

l  漏极电流ID：3A 

l  导通电阻RDS（on）: 100mΩ（典型值）

l  栅极漏电流IGSS：±100nA

l  结温：55℃—150℃

l  封装形式：SOT23-3； 

脚位图及说明：